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    英睿达固态硬盘英睿达 P3 Plus（2TB）

    英飞凌推出PQFN封装、双面散热、25-150V OptiMOS源极底置功率MOSFET

      [  中关村在线 原创  ]   作者：徐鹏
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    smartcity.zol.com.cn true https://smartcity.zol.com.cn/810/8109048.html report 1935 未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级...
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